Magnetroninė purškimo danga yra naujas fizinis dengimo garais metodas, palyginti su ankstesniu garinimo metodu, jo privalumai daugeliu aspektų yra gana įspūdingi.Kaip brandi technologija, magnetroninis purškimas buvo taikomas daugelyje sričių.
Magnetroninio purškimo principas:
Tarp išpurškiamo tikslinio poliaus (katodo) ir anodo pridedamas stačiakampis magnetinis laukas ir elektrinis laukas, o reikiamos inertinės dujos (dažniausiai Ar dujos) užpildomos didelio vakuumo kameroje.Nuolatinis magnetas sudaro 250–350 gausų magnetinį lauką tikslinės medžiagos paviršiuje, o stačiakampį elektromagnetinį lauką sudaro aukštos įtampos elektrinis laukas.Veikiant elektriniam laukui, Ar dujos jonizuojasi į teigiamus jonus ir elektronus, nukreipia ir turi tam tikrą neigiamą slėgį, nuo taikinio nuo polio veikiant magnetiniam laukui ir didėja darbinių dujų jonizacijos tikimybė, sudaro didelio tankio plazmą šalia katodas, Ar jonas, veikiamas lorenco jėgos, pagreitina skristi į tikslinį paviršių, bombarduoja taikinio paviršių dideliu greičiu, išpurškę atomai ant taikinio vadovaujasi impulso konvertavimo principu ir nuskrenda nuo taikinio paviršiaus su didele kinetine jėga. energiją substrato nusodinimo plėvelei.
Magnetroninis purškimas paprastai skirstomas į dvi rūšis: nuolatinės srovės ir RF dulkinimą.Nuolatinės srovės purškimo įrangos principas yra paprastas, o greitis purškiant metalą yra greitas.RF purškimas yra plačiau naudojamas ne tik laidžių medžiagų, bet ir nelaidžių medžiagų purškimui, bet taip pat oksidų, nitridų ir karbidų bei kitų sudėtinių medžiagų purškimui.Jei RF dažnis padidėja, jis tampa mikrobangų plazmos purškimu.Šiuo metu dažniausiai naudojamas elektronų ciklotrono rezonanso (ECR) tipo mikrobangų plazmos dulkinimas.
Magnetroninio purškimo dangos tikslinė medžiaga:
Metalo purškimo tikslinė medžiaga, dangos lydinio purškiamoji dangos medžiaga, keraminė purškiamoji dangos medžiaga, borido keramikos purškimo tikslinės medžiagos, karbido keramikos purškimo tikslinė medžiaga, fluoro keramikos purškimo tikslinė medžiaga, nitrido keramikos purškimo tikslinės medžiagos, selektyvinės keraminės taikinio medžiagos silicido keramikos purškimo tikslinės medžiagos, sulfido keramikos purškimo tikslinė medžiaga, telurido keramikos purškimo taikinys, kitas keraminis taikinys, chromu legiruotas silicio oksido keraminis taikinys (CR-SiO), indžio fosfido taikinys (InP), švino arsenido taikinys (PbAs), indžio arsenidas tikslas (InAs).
Paskelbimo laikas: 2022-03-03