Polisilicis yra svarbi purškimo medžiaga.Naudojant magnetrono purškimo metodą SiO2 ir kitoms plonoms plėvelėms paruošti, matricos medžiaga gali turėti geresnį optinį, dielektrinį ir atsparumą korozijai, o tai plačiai naudojama jutiklinio ekrano, optikos ir kitose pramonės šakose.
Ilgų kristalų liejimo procesas – tai kryptingas skysto silicio kietėjimas iš apačios į viršų palaipsniui, tiksliai kontroliuojant šildytuvo temperatūrą karštame luito krosnies lauke ir šilumos izoliacinės medžiagos šilumos išsklaidymą. ilgų kristalų kietėjimo greitis yra 0,8–1,2 cm/h.Tuo pačiu metu kryptingo kietėjimo procese galima realizuoti metalinių elementų atskyrimo efektą silicio medžiagose, daugumą metalinių elementų galima išvalyti ir suformuoti vienodą polikristalinio silicio grūdelių struktūrą.
Liejimo polisilicis gamybos procese taip pat turi būti specialiai legiruotas, kad pasikeistų akceptorių priemaišų koncentracija silicio lydaloje.Pagrindinis p tipo lietojo polisilicio priedas pramonėje yra silicio boro lydinys, kuriame boro kiekis yra apie 0,025%.Dopingo kiekis nustatomas pagal tikslinę silicio plokštelės varžą.Optimali varža yra 0,02 ~ 0,05 Ω • cm, o atitinkama boro koncentracija yra apie 2 × 1014 cm-3。 Tačiau boro segregacijos koeficientas silicyje yra 0,8, o tai parodys tam tikrą segregacijos efektą kryptingo kietėjimo procese, yra, boro elementas pasiskirsto gradientu vertikalia luito kryptimi, o varža palaipsniui mažėja nuo luito apačios iki viršaus.
Paskelbimo laikas: 2022-07-26