Silicio fotonika šiuo metu laikoma naujos kartos fotonikos platforma, skirta įterptiesiems ryšiams.Tačiau kompaktiškų ir mažos galios optinių moduliatorių kūrimas išlieka iššūkiu.Čia mes pranešame apie milžinišką elektrooptinį efektą Ge / SiGe sujungtuose kvantiniuose šuliniuose.Šis daug žadantis efektas pagrįstas anomaliu kvantiniu Starko efektu dėl atskiro elektronų ir skylių uždarymo sujungtuose Ge / SiGe kvantiniuose šuliniuose.Šis reiškinys gali būti naudojamas žymiai pagerinti šviesos moduliatorių veikimą, palyginti su standartiniais metodais, iki šiol sukurtais silicio fotonikoje.Mes išmatavome lūžio rodiklio pokyčius iki 2, 3 × 10-3, kai įtampa yra 1, 5 V, o atitinkamas moduliacijos efektyvumas VπLπ yra 0, 046 Vcm.Ši demonstracija atveria kelią efektyvių didelės spartos fazių moduliatorių, pagrįstų Ge/SiGe medžiagų sistemomis, kūrimui.
Paskelbimo laikas: 2023-06-06