Neseniai daugelis draugų klausė apie molibdeno purškimo taikinių savybes.Kokie reikalavimai keliami molibdeno purškimo taikinių charakteristikoms elektronikos pramonėje, siekiant pagerinti purškimo efektyvumą ir užtikrinti nusodinamų plėvelių kokybę?Dabar mums tai paaiškins techniniai RSM ekspertai.
1. Grynumas
Didelis grynumas yra pagrindinis molibdeno purškimo taikinio charakteristikos reikalavimas.Kuo didesnis molibdeno taikinio grynumas, tuo geresnis purškiamos plėvelės veikimas.Paprastai molibdeno purškimo taikinio grynumas turi būti ne mažesnis kaip 99,95 % (masės dalis, ta pati žemiau).Tačiau LCD pramonėje nuolat gerinant stiklo pagrindo dydį, reikia pailginti laidų ilgį, o linijos plotį – plonesnį.Siekiant užtikrinti plėvelės vienodumą ir laidų kokybę, taip pat reikia atitinkamai padidinti molibdeno purškimo taikinio grynumą.Todėl, atsižvelgiant į purškiamo stiklo pagrindo dydį ir naudojimo aplinką, molibdeno purškimo taikinio grynumas turi būti 99,99% – 99,999% ar net didesnis.
Molibdeno purškimo taikinys naudojamas kaip katodo šaltinis dulkinant.Kietosios medžiagos priemaišos ir deguonis bei vandens garai porose yra pagrindiniai nusėdusių plėvelių taršos šaltiniai.Be to, elektronikos pramonėje, kadangi šarminių metalų jonai (Na, K) lengvai tampa judančiais jonais izoliacijos sluoksnyje, sumažėja originalaus įrenginio našumas;Elementai, tokie kaip uranas (U) ir titanas (TI), bus išleisti α rentgeno spinduliais, todėl prietaisai sugenda;Geležies ir nikelio jonai sukels sąsajos nutekėjimą ir deguonies elementų padidėjimą.Todėl ruošiant molibdeno purškimo taikinį šie priemaišų elementai turi būti griežtai kontroliuojami, kad būtų sumažintas jų kiekis taikinyje.
2. Grūdelių dydis ir dydžio pasiskirstymas
Paprastai molibdeno purškimo tikslas yra polikristalinė struktūra, o grūdelių dydis gali svyruoti nuo mikronų iki milimetro.Eksperimentiniai rezultatai rodo, kad smulkiagrūdžių taikinių purškimo greitis yra didesnis nei stambiagrūdžių taikinių;Taikiniams, kurių grūdelių dydžio skirtumas yra mažas, nusodintos plėvelės storio pasiskirstymas taip pat yra vienodesnis.
3. Kristalo orientacija
Kadangi purškimo metu tikslinius atomus lengva purkšti artimiausio atomų išsidėstymo kryptimi šešiakampe kryptimi, siekiant didžiausio purškimo greičio, purškimo greitis dažnai padidinamas keičiant taikinio kristalinę struktūrą.Taikinio kristalinė kryptis taip pat turi didelę įtaką purškiamos plėvelės storio vienodumui.Todėl plėvelės purškimo procesui labai svarbu gauti tam tikrą į kristalą orientuotą tikslinę struktūrą.
4. Tankinimas
Purškimo dangos procese, kai bombarduojamas mažo tankio purškiamas taikinys, staiga išsiskiria vidinėse taikinio porose esančios dujos, dėl kurių gali išsitaškyti didelio dydžio taikinio dalelės ar dalelės, arba bombarduojama plėvelės medžiaga. antriniais elektronais po plėvelės susidarymo, todėl dalelės išsitaško.Dėl šių dalelių pablogės plėvelės kokybė.Norint sumažinti tikslinės kietosios medžiagos poras ir pagerinti plėvelės veikimą, paprastai reikia, kad purškimo taikinys būtų didelio tankio.Molibdeno purškimo taikinio santykinis tankis turėtų būti didesnis nei 98%.
5. Taikinio ir važiuoklės surišimas
Paprastai prieš purškiant molibdeno purškimo taikinys turi būti sujungtas su bedeguonies vario (arba aliuminio ir kitų medžiagų) važiuokle, kad taikinio ir važiuoklės šilumos laidumas būtų geras purškimo proceso metu.Po surišimo turi būti atliktas ultragarsinis patikrinimas, siekiant užtikrinti, kad dviejų nesukibimo plotas būtų mažesnis nei 2%, kad atitiktų didelės galios purškimo be nukritimo reikalavimus.
Paskelbimo laikas: 2022-07-19